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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息1什么意思网络用语女生，211什么意思网络用语基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng1什么意思网络用语女生，211什么意思网络用语)份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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